来自 心境 2019-08-22 15:58 的文章

Microsemi宣布新的Power MOS 8穿通型IGBT系列

  Microsemi Corporation宣布推出一个新的高速Power MOS 8(r)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)系列,该系列器件产品采用穿通工艺技术,电压为600V和900V。

  新系列的Power MOS 8(r) IGBT器件的应用对象包括有太阳能逆变器、高性能SMPS以及诸如电焊机、电池充电器和感应加热之类的工业设备。

  其主要特性为:

  ·穿通工艺技术

  ·更加快速的开关工作

  ·高效率-饱和电压低

  ·电流拖尾短-使开关损耗最小化

  ·导通压降VCE(ON)低

  新的Power MOS 8(r) IGBT系列的导通损耗低,其600V和900V器件的VCE(ON)-导通压降典型值分别是2.0V和2.5V,因此使整个电路的效率得到提高。由于开关损耗低,新系列的IGBT器件能够工作在高于100kHz的频率—已经非常接近功率MOSFET的工作频率,而且新系列IGBT的成本较低。

  Power MOS 8(r) IGBT系列能够提供单个封装的器件,也能够提供与DQ系列快速软恢复二极管封装在一起的组合器件。现在可提供样品。对于批量为1K的订货,单个分立器件的单价为$2.09~ $7.04,组合器件的单价为$3.01~ $9.44。有关产品的技术资料可在Microsemi的网站获得:。

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